L’IPB108N15N3 G est un MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ idéal pour la commutation haute fréquence et le redressement synchrone. Il réalise une réduction du RDS (ON) de 40% et de 45% du facteur de mérite (FOM) par rapport au prochain meilleur concurrent. Cette amélioration drastique ouvre de nouvelles possibilités, comme le passage des boîtiers au plomb aux boîtiers CMS ou le remplacement efficace de deux anciennes pièces par une pièce OptiMOS™.
- Le RDS le plus bas au monde (ON)
- Qg et Qgd très faibles
- Excellente charge de porte x produit RDS (ON) (FOM)
- MSL1 noté 2
- Écologique
- Densité de puissance la plus élevée
- Moins de mise en parallèle requise
- Consommation d’espace carte la plus faible
- Des produits faciles à concevoir
- Niveau normal
- Qualifié selon JEDEC pour les applications cibles
- Appareil vert sans halogène
Applications
Gestion de l’alimentation, entraînement et contrôle de moteur, automobile, communications et réseaux, audio
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