TLP250 CIRCUIT INTEGRE DIP8 ORG

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EAN: N/A UGS : 10551 Catégorie :

ONDULEURS À TRANSISTOR
POUR CLIMATISEUR
IGBT GATE DRIVE
PUISSANCE MOS FET GATE DRIVE

Le TOSHIBA TLP250(INV) se compose d’une diode électroluminescente GaAlAs et d’un photodétecteur intégré.
Cette unité est un DIP à 8 dérivations.
Le TLP250 (INV) convient au circuit de commande de grille IGBT ou MOS FET de puissance.

● Courant de seuil d’entrée : IF=5 mA(MAX)
● Courant d’alimentation (ICC) : 11 mA (MAX)
● Tension d’alimentation (VCC) : 10 ~ 35 V
● Courant de sortie (IO) : ± 2,0 A (MAX)
● Temps de commutation (tpLH /tpHL) : 0,5µs(MAX)
● Tension d’isolement : 2 500 Vrms
● Reconnu UL : UL1577, fichier n° E67349
● Option (D4)
   Approuvé VDE : DIN VDE0884/06.92 Certificat n° 76823
   Tension d’isolation de fonctionnement maximale : 630 VPK
   Surtension la plus élevée autorisée : 4000VPK
   (Remarque) : Lorsqu’un type approuvé VDE0884 est nécessaire,
              veuillez désigner l’« Option (D4) »
● Distance dans l’air : 6,4 mm (MIN)
   Dégagement : 6,4 mm (MIN)

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