Caractéristiques :
- Canal N, niveau normal
- Diode rapide (FD) avec Qr réduit
- Optimisé pour la robustesse des commutations difficiles
- Très faible résistance à l’état passant RDS(on)
- Température de fonctionnement de 175 °C
- Plombage sans plomb ; Conforme RoHS
- Qualifié selon JEDEC¹) pour l’application cible
- Sans halogène selon IEC61249-2-21
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