Description
Ce MOSFET de puissance à mode d’amélioration à canal N est le dernier raffinement du processus unique basé sur une bande « Single Feature Size™ » de STMicroelectronics avec des étapes d’alignement moins critiques et donc une reproductibilité de fabrication remarquable. Le transistor résultant présente une densité de compactage extrêmement élevée pour une faible résistance à l’état passant, des caractéristiques d’avalanche robustes et une faible charge de grille.
Caractéristiques :

- Résistance à l’état passant ultra faible
- 100% testé contre les avalanches

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