Description :
Utilisant la technologie innovante IGBT à tranchée d’arrêt de champ, la nouvelle série d’IGBT à tranchée d’arrêt de champ d’ONSemiconductor offre des performances optimales pour les applications de commutation dure telles que les applications d’onduleur solaire, d’onduleur, de soudeuse et de PFC.
Caractéristiques
- Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif
- Commutation à grande vitesse
- Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A •100 % des pièces testées pour ILM(1)
- Impédance d’entrée élevée
- Ces appareils sont sans plomb et sont conformes à RoHS
Applications
Applications pour onduleurs solaires, soudeurs, UPS et PFC

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