Caractéristiques
- Température de jonction maximale : TJ= 175 °C
- Série de commutation à grande vitesse
- Courant de queue minimisé
- VCE(sat)= 1,6 V(typ) @ IC= 80 A
- Mise en parallèle sécurisée
- Distribution serrée des paramètres
- Faible résistance thermique
- Diode antiparallèle à récupération douce très rapide
Applications
- Onduleurs photovoltaïques
- Convertisseurs haute fréquence
Description
Cet appareil est un IGBT développé à l’aide d’une structure d’arrêt de champ à porte de tranchée exclusive et avancée. L’appareil fait partie de la nouvelle série HB
des IGBT, ce qui représente un compromis optimal entre conduction et perte de commutation pour maximiser l’efficacité de tout convertisseur de fréquence. De plus, le coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et la répartition très étroite des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
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