Description:
Les HEXFETS de cinquième génération d’International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l’état passant extrêmement faible par zone de silicium.
Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d’applications.
Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu’à environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût de l’emballage du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble de l’industrie.
Caractéristiques :
- Technologie de processus avancée
- Cote dynamique dv/dt
- Température de fonctionnement de 175°C
- Commutation rapide
- Entièrement résistant aux avalanches
- Sans plomb
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