■ Testé à 100 % par avalanche
■ Faible capacité d’entrée et charge de grille
■ Faible résistance d’entrée de grille
Application
■ Applications de commutation
Description
Cette série de dispositifs est réalisée avec la deuxième génération de technologie MDmesh™. Ce MOSFET révolutionnaire associe une nouvelle structure verticale à la disposition des bandes de la société pour produire l’une des résistances à l’état passant et des charges de grille les plus faibles au monde. Il convient donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants
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