Descriptifs :
Les transistors de puissance complémentaires en silicium sont conçus pour les applications générales de commutation et d’amplification.
Caractéristiques :
- Gain de courant CC − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc
- Tension de saturation collecteur-émetteur − VCE (sat) = 1,1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc •Excellente zone de fonctionnement sûre
- Des forfaits sans plomb sont disponibles
NOTES MAXIMALES
Les valeurs maximales sont les valeurs au-delà desquelles des dommages à l’appareil peuvent survenir. Les valeurs maximales appliquées à l’appareil sont des valeurs limites de contrainte individuelles (et non des conditions de fonctionnement normales) et ne sont pas valables simultanément. Si ces limites sont dépassées, le fonctionnement fonctionnel de l’appareil n’est pas impliqué, des dommages peuvent survenir et la fiabilité peut être affectée.
Vous pouvez télécharger la fiche technique dessous :
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