Caractéristiques :
- Commutation haute vitesse et faible perte de puissance
- VCE (sat) = 2,0 V @ IC = 40 A
- Impédance d’entrée élevée
- trr = 100ns (typ.)
- Diode anti-parallèle ultra douce à récupération rapide
- Contrôle de distribution VF ultra rétréci
- Coefficient de température positif pour une mise en parallèle facile
Description générale
Cet IGBT est produit à l’aide de la technologie avancée IGBT Field Stop Trench de Magnachip, qui offre un faible VCE (SAT), des performances de commutation élevées et une excellente qualité. Cet appareil est destiné aux applications PFC, UPS et onduleurs.
Applications
- PFC
- UPS
- Onduleur
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