Description :
Ces transistors à effet de champ de puissance en mode d’amélioration à canal N sont produits à l’aide de
la technologie DMOS exclusive à bande planaire de Fairchild.
Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l’état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister aux impulsions à haute énergie en
mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux alimentations à découpage à haut rendement et
à la correction active du facteur de puissance.
Caractéristiques :
• 18 A, 250 V, RDS(on) = 0,069 Ω @VGS = 10 V
• Faible charge de grille (typique 47 nC)
• Faible Crss (typique 60 pF)
• Commutation rapide
• 100 % testé en avalanche
• Capacité dv/dt améliorée
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