Descriptifs :
Ce transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est doté d’une construction de tranchée à ultra-arrêt de champ robuste et rentable et offre des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes, offrant à la fois une faible tension à l’état passant et une perte de commutation minimale. L’IGBT est bien adapté aux applications UPS et solaires. Le dispositif intègre une diode de roue libre co-packagée, souple et rapide, avec une faible tension directe.
Caractéristique :
- Tranchée extrêmement efficace avec technologie Field Stop
- Température maximale de jonction : TJ = 175°C
- Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,7 V (Typ.) @ IC = 75 A
- 100% des pièces testées pour l’ILM(1)
- Diode de récupération inverse rapide et douce
- Optimisé pour la commutation à grande vitesse
- Conforme RoHS
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