Caractéristiques
- Canal P
- Faible résistance
- Évaluation dV/dT dynamique
- Température de fonctionnement de 175°C
- Commutation rapide
- Entièrement résistant aux avalanches
- Avalanche répétitive autorisée jusqu’à Tjmax
- Sans plomb, conforme RoHS
- Qualifié automobile
Spécialement conçus pour les applications automobiles, les MOSFET de puissance HEXFET® utilisent les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à l’état passant par zone de silicium.
Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l’automobile et une grande variété d’autres applications.
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