Description :
La technologie HEXFET est la clé de la gamme avancée de transistors MOSFET de puissance d’International Rectifier. La géométrie efficace et le traitement unique de cette dernière conception « de pointe » permettent d’obtenir : une très faible résistance à l’état passant combinée à une transconductance élevée ; Capacité supérieure dv/dt de récupération d’énergie inverse et de diode.
Les transistors HEXFET présentent également tous les avantages bien établis des MOSFET tels que le contrôle de tension, la commutation très rapide, la facilité de mise en parallèle et la stabilité en température des paramètres électriques. Ils conviennent parfaitement aux applications telles que les alimentations à découpage, les commandes de moteur, les onduleurs, les hacheurs, les amplificateurs audio et les circuits d’impulsions à haute énergie.
Caractéristiques:
- Évaluations des avalanches répétitives
- Cote dynamique dv/dt
- Fermé hermétiquement
- Exigences simples en matière de lecteur
- Facilité de mise en parallèle
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