Descriptifs :
Conçu spécifiquement pour les applications automobiles, ce MOSFET de puissance Advanced Planar Stripe HEXFET ® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l’état passant extrêmement faible par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de ce MOSFET de puissance HEXFET sont une température de fonctionnement de jonction de 175 °C, un faible RθJC, une vitesse de commutation rapide et un indice d’avalanche répétitif amélioré. Cette combinaison fait de cette conception un choix extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les systèmes électroniques automobiles de plus forte puissance et dans une grande variété
d’autres applications.
Avantages:
- Technologie de processus avancée
- Résistance à l’activation ultra faible
- Cote dynamique dv/dt
- Température de fonctionnement de 175°C
- Commutation rapide
- Avalanche répétitive autorisée jusqu’à Tjmax
Applications typiques
- Alternateur-démarreur intégré
- Systèmes électriques automobiles 42 volts
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