CARACTÉRISTIQUES
- • Cote dynamique dV/dt
- • Évaluation des avalanches répétitives
- • Canal P
- • Température de fonctionnement de 175 °C
- • Commutation rapide
- • Facilité de mise en parallèle
- • Exigences simples en matière de lecteur
- • Sans plomb (Pb) disponible
DESCRIPTION
Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay offrent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l’état passant et de rentabilité. Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu’à environ 50 W. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble de l’industrie.
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