Descriptifs :
Ce MOSFET de puissance canal N à très haute tension est conçu à l’aide de la technologie MDmesh™ K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance à l’état passant et une charge de grille ultra faible pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un rendement élevé.
Applications :
- Changer d’application
Caractéristique :
- Zone RDS(on) x la plus basse de l’industrie
- Meilleur FoM de l’industrie (chiffre de mérite)
- Charge de porte ultra faible
- 100% testé en avalanche
- Protégé par Zener
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