• Testé à 100 % par avalanche
• Ultra faible résistance à l’état passant
Applications
• Applications de commutation
Description
Ces MOSFET de puissance à canal N utilisent
la technologie STripFET™ F7 avec une
structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l’état passant, tout en réduisant également
la capacité interne et la charge de grille pour
commutateur plus rapide et plus efficace

Vous pouvez télécharger la fiche technique :
Cliquez ici

Avis
Il n’y a pas encore d’avis.