Description
La série FDmesh™ II appartient à la deuxième génération de la technologie MDmesh™. Ce Power MOSFET révolutionnaire associe une nouvelle structure verticale à la disposition des bandes de l’entreprise et associe tous les avantages d’une résistance à l’état passant réduite et d’une commutation rapide avec une diode intrinsèque à récupération rapide. Il est donc fortement recommandé pour les topologies en pont, en particulier les convertisseurs déphaseurs ZVS.
■ La meilleure zone RDS(on)* au monde parmi les dispositifs à diode à récupération rapide
■ Testé à 100 % par avalanche
■ Faible capacité d’entrée et charge de grille
■ Faible résistance d’entrée de grille
■ Capacités dv/dt et d’avalanche extrêmement élevées.
Application
■ Changement d’application
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