Description
SuperFET®II MOSFET est la première génération de MOSFET à super-jonction (SJ) haute tension de Fairchild Semiconductor® qui utilise la technologie d’équilibrage de charge pour une faible résistance exceptionnelle et des performances de charge de grille inférieures. Cette technologie avancée est conçue pour minimiser la perte de conduction, offrent des performances de commutation supérieures et résistent à un taux dv/dt extrême et à une énergie d’avalanche plus élevée. Par conséquent, le SuperFETII MOSFET convient à diverses conversions de puissance AC/DC pour la miniaturisation du système et un rendement plus élevé.
Caractéristiques
- RDS (activé) = 65 mΩ (Typ)
- • Charge de grille ultra faible (Qg typique = 165 nC)
- • Faible capacité de sortie effective
- • 100 % testé contre les avalanches
- • Conforme RoHS
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