Caractéristiques :
• Nouvelle technologie haute tension révolutionnaire
• Charge de grille ultra faible
• Indice d’avalanche périodique
• Indice dv/dt extrême
• Capacité de courant de crête élevée
• Transconductance améliorée
- Accueil
- Composant électronique
- Composants actifs
- Transistors
- Transistors MOSFET
- 11N60C3 MOSFET N-CHANNE 11A 650V TO-263(used)


Avis
Il n’y a pas encore d’avis.