L’UTC 18N50 est un MOSFET de puissance en mode d’amélioration à canal N utilisant la technologie avancée de bande planaire et DMOS d’UTC pour offrir des performances parfaites. Cette technologie peut résister à des impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Il peut fournir un minimum de résistance d’état et une vitesse de commutation élevée. Ce dispositif est généralement appliqué à la correction active du facteur de puissance et aux alimentations à découpage à haut rendement.
CARACTÉRISTIQUES
- RDS (ON) =0,32 Ω @ V GS =10V
- Vitesse de commutation élevée
- Charge de grille faible généralement de 45 nC
- 100% testé en avalanche
- Généralement 25pF faible C RSS
- Capacité dv/dt améliorée
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