Caractéristiques :
• Idéal pour la commutation et la synchronisation haute fréquence. rec.
• Technologie optimisée pour les convertisseurs DC/DC
• Excellente charge de porte x produit Ros(on) (FOM)
• Résistance thermique supérieure
• Canal N, niveau normal
• 100 % testé en avalanche
• Placage sans plomb ; Conforme RoHS
• Qualifié selon JEDEC » pour les applications cibles
• Sans halogène selon IEC61249-2-21
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| Attribut de produit | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Infineon | |
| Catégorie du produit: | MOSFET |
| RoHS: | Détails |
| REACH – SVHC: | |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TDSON-8 | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 80 V | |
| 55 A | |
| 10.3 mOhms | |
| – 20 V, + 20 V | |
| 2 V | |
| 25 nC | |
| – 55 C | |
| + 150 C | |
| 66 W | |
| Enhancement | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 3 | |
| Reel | |
| Cut Tape | |
| MouseReel | |
| Marque: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Single |
| Temps de descente: | 4 ns |
| Transconductance directe – min.: | 22 S |
| Hauteur: | 1.27 mm |
| Longueur: | 5.9 mm |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 18 ns |
| 5000 | |
| Sous-catégorie: | MOSFETs |
| Type de transistor: | 1 N-Channel |
| Délai de désactivation type: | 19 ns |
| Délai d’activation standard: | 12 ns |
| Largeur: | 5.15 mm |
| Raccourcis pour l’article N°: | BSC123N8NS3GXT SP000443916 BSC123N08NS3GATMA1 |
| Poids de l »unité: | 100 mg |
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