D1651C TRANSISTOR NPN 5A 1500V TO-3P

Description :
TRANSISTOR EN SILICIUM PLANAIRE À TRIPLE DIFFUSION NPN
Caractéristiques :

1. Tension de base du collecteur élevée (VCBO = 1 500 V)
2. Commutation à grande vitesse

Absolute maximum ratings ( Ta=25°C )

1. Tension collecteur à base : Vcbo = 1500 V

2. Tension collecteur-émetteur : Vceo = 1500 V

3. Tension émetteur-base : Vebo = 6 V

4. Courant collecteur : Ic = 5 A

5. Dissipation totale : Pc = 50 W

6. Température de jonction : Tj = 150°C

7. Température de stockage : Tsg = -55 ~ +150°C

Applications : 

1. SORTIE HORIZONTALE TV COULEUR
2. APPLICATIONS (diode d’amortissement intégrée)

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